板式測厚儀

板式測厚儀? 型號(hào)：TRE-GUB－B

簡      介

TRE-GUB－B型板式測厚儀于由礦物棉制成的板、帶厚度的測量。

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該測厚儀是依據(jù)GB/T 5480.3－2004《礦物棉及其制品試驗(yàn)方法第3部分：尺寸和密度》特殊設(shè)計(jì)制造的大底盤。具有結(jié)構(gòu)簡單、操作方便、測量范圍（面積）大等特點(diǎn)。

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主要技術(shù)參數(shù)：

1.百分表量程：0mm～10mm；精度0.01mm

2.壓板直徑：  Φ50mm；

         3.壓板壓強(qiáng)：  98Pa

         4.測量范圍：  0mm～150mm

         5.基準(zhǔn)塊規(guī)格：10mm一塊；20mm二塊；50mm三塊。

         6.底盤尺寸： 300mm×240mm

產(chǎn)品名稱：中溫法向輻射率測量儀
產(chǎn)品型號(hào)：ZFF-2200

中溫法向輻射率測量儀  型號(hào)：ZFF-2200

主要配置：發(fā)射體、傳導(dǎo)體、接受體、溫度加熱調(diào)節(jié)裝置、單線數(shù)字溫度傳感器及顯示儀表、低壓大功率開關(guān)電源（3A 24V）保證了設(shè)備的安全操作、所有數(shù)據(jù)由128x64點(diǎn)陣液晶屏同屏顯示，便于觀察每個(gè)數(shù)據(jù)的即時(shí)變化。配有RS23Z（PC數(shù)據(jù)輸出口）本設(shè)備即可與計(jì)算機(jī)連接，又可脫機(jī)獨(dú)立完成實(shí)驗(yàn)。
利用比較法測試固體表面法向輻射時(shí)的物體黑度 
外形尺寸：450×250×400mm 
工作電壓：220V 功率：800W

產(chǎn)品名稱：礦用隔爆本全型真空電磁起動(dòng)器/礦用真空電磁起動(dòng)器
產(chǎn)品型號(hào)：QJZ-200/1140

礦用隔爆本全型真空電磁起動(dòng)器/礦用真空電磁起動(dòng)器 型號(hào)：QJZ-200/1140

一、范圍與用途 
    本系列起動(dòng)器于煤礦井下其周圍介質(zhì)中有甲烷、煤塵、爆炸性混合物氣體的環(huán)境中、在交流 50HZ 、額定電壓為 660V 或 1140V ，額定電流至 400 的電路中，直接或遠(yuǎn)距離控制礦用隔爆型三相鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)的起動(dòng)、停止之用，并可在被控電動(dòng)機(jī)停止時(shí)進(jìn)行換向。  
二、產(chǎn)品特點(diǎn) 
1.主電路采用真空接觸器，無電弧，壽命長，可靠性高。 
2.采用ABD8系列數(shù)字式電機(jī)綜合保護(hù)器，保護(hù)功能全，性能穩(wěn)定。 
3.可單臺(tái)使用，也可多臺(tái)程控使用。 
4.結(jié)構(gòu)簡單，維修少。

產(chǎn)品名稱：自熱物質(zhì)試驗(yàn)儀 75℃熱穩(wěn)定性試驗(yàn)儀 
產(chǎn)品型號(hào)： TS-1

自熱物質(zhì)試驗(yàn)儀 75℃熱穩(wěn)定性試驗(yàn)儀 型號(hào)：TS-1 

用途  
本儀器可以兼容自熱物質(zhì)試驗(yàn)和75℃熱穩(wěn)定性試驗(yàn)。  
自熱物質(zhì)試驗(yàn)通過將物質(zhì)裝在邊長25mm或100mm立方形鋼絲網(wǎng)容器內(nèi)在溫度100℃、120℃、140℃下暴露于空氣中來確定物質(zhì)是否會(huì)氧化自熱。  
75℃熱穩(wěn)定性試驗(yàn)用于測試物質(zhì)在高溫條件下的熱穩(wěn)定性，以確定物質(zhì)是否太危險(xiǎn)不能運(yùn)輸。  
標(biāo)準(zhǔn)  
自熱物質(zhì)試驗(yàn)符合《關(guān)于危險(xiǎn)貨物運(yùn)輸?shù)慕ㄗh書•試驗(yàn)和標(biāo)準(zhǔn)手冊(cè)》33.3.1.6試驗(yàn)N.4自熱物質(zhì)的試驗(yàn)方法和GB 20584-2006《化學(xué)品分類、jing示標(biāo)簽和jing示性說明安全規(guī)范 自熱物質(zhì)》。  
75℃熱穩(wěn)定性試驗(yàn)符合《關(guān)于危險(xiǎn)貨物運(yùn)輸?shù)慕ㄗh書試驗(yàn)和標(biāo)準(zhǔn)手冊(cè)》13.6.1試驗(yàn)3（c）：75℃熱穩(wěn)定性試驗(yàn)和EN 13631-2:2002《民用.烈性藥.第2部分：測定的熱穩(wěn)定性》。  
技術(shù)參數(shù)  
1.兼容自熱物質(zhì)試驗(yàn)和75℃熱穩(wěn)定性試驗(yàn)  
2.控溫范圍：室溫+5℃～250℃  
3.測溫范圍：-40℃～400℃  
4.控溫精度：≤±1℃  
5.均溫性：≤±0.5℃（九點(diǎn)法）  
6.波動(dòng)度：≤±0.5℃  
7.烘箱容積：≥10L  
8.加熱方式：碳纖維紅外熱輻射加熱管  
9.送風(fēng)方式：垂直循環(huán)送風(fēng)  
10.計(jì)時(shí)范圍：0～72h  
11.計(jì)時(shí)精度：±0.01s  
12.自熱物質(zhì)試驗(yàn)網(wǎng)籠尺寸：邊長25mm，邊長100mm  
13.75℃熱穩(wěn)定性試驗(yàn)試驗(yàn)容器：直徑50.5±0.5mm，長150mm  
14.10英寸工業(yè)平板電腦，配電容式觸摸屏  
15.操作系統(tǒng)：windows7專業(yè)版  
功能特點(diǎn)  
1.采用PID調(diào)溫器控制碳纖維紅外熱輻射加熱管進(jìn)行加熱，風(fēng)機(jī)攪拌，確保溫度的均勻性和穩(wěn)定性；  
2.多重防護(hù)措施，前門采用機(jī)電互鎖結(jié)構(gòu)，背部安裝被動(dòng)泄；  
3.儀器整體不銹鋼制造，避免靜電隱患；  
4.自動(dòng)記錄原始數(shù)據(jù)，繪制時(shí)間-溫度曲線，自動(dòng)判斷試驗(yàn)結(jié)果，并進(jìn)行包裝類別判斷；  
5.用戶可根據(jù)需求調(diào)整試驗(yàn)順序，配置相應(yīng)參數(shù)進(jìn)行試驗(yàn)；  
6.設(shè)備具有自檢和報(bào)警功能，試驗(yàn)完成自動(dòng)聲光提醒；  
7.試驗(yàn)過程全自動(dòng)化，支持參數(shù)設(shè)置、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、查看報(bào)表等功能；  
8.底部配備有剎車功能的平板腳輪，便于搬運(yùn)；  
9.采用10英寸工業(yè)平板電腦，配電容式觸摸屏、Windows7專業(yè)版操作系統(tǒng)，實(shí)時(shí)顯示試驗(yàn)數(shù)據(jù)；  
10.支持網(wǎng)絡(luò)連接，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程操控和數(shù)據(jù)傳輸。  

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產(chǎn)品名稱：數(shù)字式太陽能級(jí)硅晶體少子壽命測試儀 晶體少子壽命測試儀
產(chǎn)品型號(hào)：LT-200

數(shù)字式太陽能級(jí)硅晶體少子壽命測試儀 晶體少子壽命測試儀型號(hào)：LT-200

LT-200數(shù)字式太陽能級(jí)硅晶體少子壽命測試儀簡介 
1. 儀器應(yīng)用范圍及說明 
本設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過數(shù)次全國十多個(gè)單位巡回測試的考驗(yàn)，證明是一種成熟可靠的測試方法，特別適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測量；也可對(duì)硅片進(jìn)行測量，給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面，因此制樣特別簡便。 
昆德公司數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點(diǎn)： 
可測量太陽能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光，直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測量，儀器可按需方提供的有標(biāo)稱值的校準(zhǔn)樣品調(diào)試壽命值。 
1.1 可測量太陽能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命，表面無需拋光、鈍化。 
1.2 液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)在線顯示光電導(dǎo)衰退波形。 
1.3 配置的紅外光源：0.904～0.905μm波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測量低阻太陽能級(jí)硅晶體少數(shù)載流子體壽命，脈沖功率30W。 
1.4 專門為消除陷進(jìn)效應(yīng)增加了紅外低光照。 
1.5 測量范圍寬廣 
測試儀可直接測量： 
a、研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω•cm的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對(duì)壽命。 
b、拋光面：電阻率在0.5～0.01Ω•cm范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶厚度小于1mm的拋光片。 
2. 設(shè)備技術(shù)要求及性能指標(biāo) 
2.1 少子壽命測試范圍：0.5μs~6000μs              
2.2 樣品的電阻率范圍：ρ﹥0.1Ω·cm（非回爐料）               
2.3 測試速度：1分鐘/片                       
2.4 紅外光源波長： 0.904～0.905μm                    
2.5 高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ 
2.6 前置放大器，放大倍數(shù)約25，頻寬2HZ-2MHZ 
2.7 可測單晶尺寸：斷面豎測： 
直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm 
縱向臥測：直徑5mm-20mm；長度50mm-200mm 
2.8 測量方式：采用數(shù)字示波器直接讀數(shù)方式 
2.9 測試分辨率：數(shù)字存儲(chǔ)示波器小分辨率0.01μs  
2.10 設(shè)備重量：20 Kg  
2.11 儀器電源：電源電壓類型：單相210～230V,50Hz,帶電源隔離、濾波、穩(wěn)壓，不能與未做保護(hù)措施的大功率、高頻設(shè)備共用電源。